STL3N65M2

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STL3N65M2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Especificaciones:	STL3N65M2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	199546 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 199546 pcs

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3000 pcs: $0.162

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Especificaciones de STL3N65M2

Número de pieza	STL3N65M2	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	199546 pcs	Ficha de datos	STL3N65M2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie	MDmesh™ M2	RDS (Max) @Id, Vgs	1.8 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	22W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	155pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V	Descripción detallada	N-Channel 650V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.3A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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