STL20N6F7

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STL20N6F7
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 100A
Especificaciones:	STL20N6F7.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	70328 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 70328 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.421

10 pcs: $0.374

100 pcs: $0.296

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Especificaciones de STL20N6F7

Número de pieza	STL20N6F7	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 60V 100A	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	70328 pcs	Ficha de datos	STL20N6F7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie	STripFET™ F7	RDS (Max) @Id, Vgs	5.4 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3W (Ta), 78W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN	Otros nombres	497-16117-1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	25nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 100A (Tc) 3W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

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