STL12N65M2

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STL12N65M2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56
Especificaciones:	STL12N65M2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	37821 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 37821 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.815

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Especificaciones de STL12N65M2

Número de pieza	STL12N65M2	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	37821 pcs	Ficha de datos	STL12N65M2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerFlat™ (5x6) HV
Serie	MDmesh™	RDS (Max) @Id, Vgs	750 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	48W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN	Otros nombres	497-15054-1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 5A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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