STFI15NM65N

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STFI15NM65N
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
Especificaciones:	STFI15NM65N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	27222 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27222 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.38

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Especificaciones de STFI15NM65N

Número de pieza	STFI15NM65N	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	27222 pcs	Ficha de datos	STFI15NM65N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I2PAKFP (TO-281)
Serie	MDmesh™ II	RDS (Max) @Id, Vgs	380 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	30W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Otros nombres	497-13951-5 STFI15NM65N-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	983pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	33.3nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 12A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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