STFI11N65M2

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STFI11N65M2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
Especificaciones:	STFI11N65M2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6469 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6469 pcs

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Especificaciones de STFI11N65M2

Número de pieza	STFI11N65M2	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6469 pcs	Ficha de datos	STFI11N65M2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I2PAKFP (TO-281)
Serie	MDmesh™ II Plus	RDS (Max) @Id, Vgs	670 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	25W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Otros nombres	497-15038-5
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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