STD6N60M2

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STD6N60M2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V DPAK
Especificaciones:	STD6N60M2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	155519 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 155519 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.236

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Especificaciones de STD6N60M2

Número de pieza	STD6N60M2	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	155519 pcs	Ficha de datos	STD6N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	MDmesh™ II Plus	RDS (Max) @Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
La disipación de energía (máximo)	60W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	497-13939-2 STD6N60M2-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	232pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	8nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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