STD2NM60T4

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STD2NM60T4
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Especificaciones:	STD2NM60T4.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	137991 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 137991 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.226

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Especificaciones de STD2NM60T4

Número de pieza	STD2NM60T4	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 2A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	137991 pcs	Ficha de datos	STD2NM60T4.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	MDmesh™	RDS (Max) @Id, Vgs	3.2 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	46W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	8.4nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 2A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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