Número de pieza | STD12NF06L-1 | Fabricante | STMicroelectronics |
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Descripción | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 64406 pcs | Ficha de datos | STD12NF06L-1.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±16V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | I-PAK |
Serie | STripFET™ II | RDS (Max) @Id, Vgs | 100 mOhm @ 6A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 42.8W (Tc) | embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Otros nombres | 497-6730-5 STD12NF06L-1-ND STD12NF06L1 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10nC @ 5V |
Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
Descripción detallada | N-Channel 60V 12A (Tc) 42.8W (Tc) Through Hole I-PAK | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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