STD10NM65N

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STD10NM65N
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Especificaciones:	STD10NM65N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	51611 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 51611 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.727

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100 pcs: $0.527

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Especificaciones de STD10NM65N

Número de pieza	STD10NM65N	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 650V 9A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	51611 pcs	Ficha de datos	STD10NM65N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	MDmesh™ II	RDS (Max) @Id, Vgs	480 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	90W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	497-7957-1
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	25nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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