STB7NK80Z-1

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STB7NK80Z-1
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Especificaciones:	STB7NK80Z-1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	53329 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 53329 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de STB7NK80Z-1

Número de pieza	STB7NK80Z-1	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	53329 pcs	Ficha de datos	STB7NK80Z-1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I2PAK
Serie	SuperMESH™	RDS (Max) @Id, Vgs	1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	125W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Otros nombres	497-12539-5 STB7NK80Z-1-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1138pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	56nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V
Descripción detallada	N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.2A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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