STB42N60M2-EP

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STB42N60M2-EP
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
Especificaciones:	STB42N60M2-EP.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	12630 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12630 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $2.343

10 pcs: $2.09

100 pcs: $1.714

500 pcs: $1.388

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Especificaciones de STB42N60M2-EP

Número de pieza	STB42N60M2-EP	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	12630 pcs	Ficha de datos	STB42N60M2-EP.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.75V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D2PAK
Serie	MDmesh™ M2-EP	RDS (Max) @Id, Vgs	87 mOhm @ 17A, 10V
La disipación de energía (máximo)	250W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	497-15896-6
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2370pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	55nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 34A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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