STB28N60DM2

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STB28N60DM2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 21A
Especificaciones:	STB28N60DM2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	30740 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 30740 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1000 pcs: $1.091

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Especificaciones de STB28N60DM2

Número de pieza	STB28N60DM2	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 21A	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	30740 pcs	Ficha de datos	STB28N60DM2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D2PAK
Serie	MDmesh™ DM2	RDS (Max) @Id, Vgs	160 mOhm @ 10.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	170W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	497-16349-2
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	34nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 21A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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