SCT20N120

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	SCT20N120
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Especificaciones:	1.SCT20N120.pdf 2.SCT20N120.pdf 3.SCT20N120.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6571 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6571 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $5.335

30 pcs: $4.70

120 pcs: $4.141

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Especificaciones de SCT20N120

Número de pieza	SCT20N120	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6571 pcs	Ficha de datos	1.SCT20N120.pdf 2.SCT20N120.pdf 3.SCT20N120.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.5V @ 1mA	Vgs (Max)	+25V, -10V
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)	Paquete del dispositivo	HiP247™
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 20V
La disipación de energía (máximo)	175W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	497-15170
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 400V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	45nC @ 20V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	20V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V
Descripción detallada	N-Channel 1200V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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