STMicroelectronics| Número de pieza | PD20010-E | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4540 pcs | Ficha de datos | PD20010-E.pdf |
| Voltaje - Prueba | 13.6V | Tensión - Calificación | 40V |
| Tipo de transistor | LDMOS | Paquete del dispositivo | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Serie | - | Alimentación - Salida | 10W |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| Otros nombres | 497-13044-5 PD20010-E-ND PD20010E |
Figura de ruido | - |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganancia | 11dB | Frecuencia | 2GHz |
| Descripción detallada | RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead) | Valoración actual | 5A |
| Corriente - Prueba | 150mA | Número de pieza base | PD20010 |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
| UPS | www.UPS.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
| TNT | www.TNT.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |



