RJL6012DPE-00#J3

Renesas Electronics America

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Descripción del producto

Número de pieza:	RJL6012DPE-00#J3
Fabricante / Marca:	Renesas Electronics America
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
Especificaciones:	RJL6012DPE-00#J3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6091 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6091 pcs

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Especificaciones de RJL6012DPE-00#J3

Número de pieza	RJL6012DPE-00#J3	Fabricante	Renesas Electronics America
Descripción	MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6091 pcs	Ficha de datos	RJL6012DPE-00#J3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	4-LDPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.1 Ohm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	100W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	SC-83	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	28nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 10A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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