HAT2165H-EL-E

Renesas Electronics America

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Descripción del producto

Número de pieza:	HAT2165H-EL-E
Fabricante / Marca:	Renesas Electronics America
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Especificaciones:	HAT2165H-EL-E.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	67648 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67648 pcs

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Especificaciones de HAT2165H-EL-E

Número de pieza	HAT2165H-EL-E	Fabricante	Renesas Electronics America
Descripción	MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	67648 pcs	Ficha de datos	HAT2165H-EL-E.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	LFPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3.3 mOhm @ 27.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	30W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-100, SOT-669	Otros nombres	HAT2165H-EL-E-ND HAT2165H-EL-ETR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5180pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	33nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 55A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	55A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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