HAT2096H-EL-E

Renesas Electronics America

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Descripción del producto

Número de pieza:	HAT2096H-EL-E
Fabricante / Marca:	Renesas Electronics America
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
Especificaciones:	HAT2096H-EL-E.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	4285 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4285 pcs

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Especificaciones de HAT2096H-EL-E

Número de pieza	HAT2096H-EL-E	Fabricante	Renesas Electronics America
Descripción	MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	4285 pcs	Ficha de datos	HAT2096H-EL-E.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	LFPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	5.3 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	20W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-100, SOT-669	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	40nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 40A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount LFPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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