Número de pieza | PSMN4R3-100ES,127 | Fabricante | Nexperia |
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Descripción | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 32267 pcs | Ficha de datos | PSMN4R3-100ES,127.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | I2PAK |
Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 25A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 338W (Tc) | embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | Otros nombres | 1727-6500 568-8596-5 568-8596-5-ND 934066116127 PSMN4R3100ES127 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9900pF @ 50V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
Descripción detallada | N-Channel 100V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
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