PSMN1R7-60BS,118

Nexperia USA Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	PSMN1R7-60BS,118
Fabricante / Marca:	Nexperia
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Especificaciones:	PSMN1R7-60BS,118.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	54779 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54779 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

800 pcs: $0.637

1600 pcs: $0.537

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Especificaciones de PSMN1R7-60BS,118

Número de pieza	PSMN1R7-60BS,118	Fabricante	Nexperia USA Inc.
Descripción	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	54779 pcs	Ficha de datos	PSMN1R7-60BS,118.pdf
Voltaje - Prueba	9997pF @ 30V	Tensión - Desglose	D2PAK
VGS (th) (Max) @Id	2 mOhm @ 25A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	120A (Tc)
Polarización	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	1727-7106-2 568-9476-2 568-9476-2-ND 934065175118 PSMN1R760BS118
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	PSMN1R7-60BS,118
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	137nC @ 10V	Tipo de IGBT	±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4V @ 1mA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 60V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	60V
relación de capacidades	306W (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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