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Nexperia
| Número de pieza | PSMN102-200Y,115 | Fabricante | Nexperia |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 138932 pcs | Ficha de datos | PSMN102-200Y,115.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie | TrenchMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 102 mOhm @ 12A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 113W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | Otros nombres | 1727-5227-2 568-6544-2 568-6544-2-ND 934061323115 PSMN102-200Y T/R PSMN102-200Y T/R-ND PSMN102-200Y,115-ND PSMN102200Y115 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1568pF @ 30V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 30.7nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
| Descripción detallada | N-Channel 200V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 21.5A (Tc) |
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|---|---|---|
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