PMPB215ENEAX

Nexperia

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Descripción del producto

Número de pieza:	PMPB215ENEAX
Fabricante / Marca:	Nexperia
Descripción del producto	MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
Especificaciones:	PMPB215ENEAX.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	115025 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 115025 pcs

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Especificaciones de PMPB215ENEAX

Número de pieza	PMPB215ENEAX	Fabricante	Nexperia
Descripción	MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	115025 pcs	Ficha de datos	PMPB215ENEAX.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.7V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DFN2020MD-6
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	230 mOhm @ 1.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.6W (Ta), 15.6W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	6-UDFN Exposed Pad	Otros nombres	1727-8340-6
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 40V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7.2nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V
Descripción detallada	N-Channel 80V 1.9A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.9A (Ta)

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