
| Número de pieza | PMV40UN,215 | Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 6779 pcs | Ficha de datos | |
| VGS (th) (Max) @Id | 700mV @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-236AB (SOT23) |
| Serie | TrenchMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 47 mOhm @ 2A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.9W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Otros nombres | 568-2355-2 934057952215 PMV40UN T/R PMV40UN T/R-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 445pF @ 30V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 4.9A (Tc) 1.9W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Tc) |
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