
| Número de pieza | PMDPB42UN,115 | Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 6558 pcs | Ficha de datos | |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA | Paquete del dispositivo | DFN2020-6 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Potencia - Max | 510mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-UDFN Exposed Pad | Otros nombres | 568-10758-2 934066485115 PMDPB42UN,115-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 185pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.9A 510mW Surface Mount DFN2020-6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A |
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|---|---|---|
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