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| Número de pieza | PHT11N06LT,135 | Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4519 pcs | Ficha de datos | |
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | ±13V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SOT-223 |
| Serie | TrenchMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 40 mOhm @ 5A, 5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA | Otros nombres | 934054590135 PHT11N06LT /T3 PHT11N06LT /T3-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V |
| Descripción detallada | N-Channel 55V 4.9A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
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|---|---|---|
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