
| Número de pieza | PDTA123JS,126 | Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 3478 pcs | Ficha de datos | |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased | Paquete del dispositivo | TO-92-3 |
| Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms | Potencia - Max | 500mW |
| embalaje | Tape & Box (TB) | Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres | 934057560126 PDTA123JS AMO PDTA123JS AMO-ND |
Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 | DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 1µA | Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
| Número de pieza base | PDTA123 |
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