
| Número de pieza | BUK7E2R7-30B,127 | Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4234 pcs | Ficha de datos | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | I2PAK |
| Serie | TrenchMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 25A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 300W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | Otros nombres | 568-6629 568-6629-5 568-6629-ND 934058024127 BUK7E2R7-30B BUK7E2R7-30B,127-ND BUK7E2R7-30B-ND BUK7E2R730B127 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6212pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 91nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
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