
| Número de pieza | BUK652R7-30C,127 | Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no compatible |
| cantidad disponible | 3049 pcs | Ficha de datos | |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.8V @ 1mA | Vgs (Max) | ±16V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-220AB |
| Serie | TrenchMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 25A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 204W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | Otros nombres | 568-7494-5 934064251127 BUK652R7-30C,127-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6960pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 100A (Tc) 204W (Tc) Through Hole TO-220AB | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
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