
| Número de pieza | 2N7000,126 | Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5961 pcs | Ficha de datos | |
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-92-3 |
| Serie | TrenchMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 830mW (Ta) | embalaje | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Otros nombres | 2N7000 AMO 2N7000 AMO-ND 934003460126 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | N-Channel 60V 300mA (Tc) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Tc) |
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