JANTXV1N5554US

Microsemi Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	JANTXV1N5554US
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Especificaciones:	JANTXV1N5554US.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	4516 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4516 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

100 pcs: $7.832

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Especificaciones de JANTXV1N5554US

Número de pieza	JANTXV1N5554US	Fabricante	Microsemi Corporation
Descripción	DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	4516 pcs	Ficha de datos	JANTXV1N5554US.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	3A
Tensión - Desglose	D-5B	Serie	Military, MIL-PRF-19500/420
Estado RoHS	Bulk	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	SQ-MELF, B
Otros nombres	1086-19418 1086-19418-MIL	Temperatura de funcionamiento - Junction	2µs
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	JANTXV1N5554US	Descripción ampliada	Diode Standard 1000V (1kV) 3A Surface Mount D-5B
configuración de diodo	1µA @ 1000V	Descripción	DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Corriente - Fuga inversa a Vr	1.3V @ 9A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	1000V (1kV)
Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 175°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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