JAN1N647-1

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	JAN1N647-1
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Especificaciones:	JAN1N647-1.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	5513 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5513 pcs

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Especificaciones de JAN1N647-1

Número de pieza	JAN1N647-1	Fabricante	Microsemi
Descripción	DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	5513 pcs	Ficha de datos	JAN1N647-1.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1V @ 400mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	400V
Paquete del dispositivo	DO-35	Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	-	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	DO-204AH, DO-35, Axial	Otros nombres	1086-15181 1086-15181-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 175°C	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo	Standard	Descripción detallada	Diode Standard 400V 400mA Through Hole DO-35
Corriente - Fuga inversa a Vr	50nA @ 400V	Corriente - rectificada media (Io)	400mA
Capacitancia Vr, F	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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