APTMC120AM16CD3AG

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APTMC120AM16CD3AG
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
Especificaciones:	APTMC120AM16CD3AG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	166 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 166 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

100 pcs: $182.956

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Especificaciones de APTMC120AM16CD3AG

Número de pieza	APTMC120AM16CD3AG	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	166 pcs	Ficha de datos	APTMC120AM16CD3AG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 5mA (Typ)	Paquete del dispositivo	D3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	20 mOhm @ 100A, 20V
Potencia - Max	625W	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	D-3 Module	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4750pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	246nC @ 20V	Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET	Silicon Carbide (SiC)	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V (1.2kV)
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 131A (Tc) 625W Chassis Mount D3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	131A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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