APTM50DHM65T3G

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APTM50DHM65T3G
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Especificaciones:	APTM50DHM65T3G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3611 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3611 pcs

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Especificaciones de APTM50DHM65T3G

Número de pieza	APTM50DHM65T3G	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3611 pcs	Ficha de datos	APTM50DHM65T3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 2.5mA	Paquete del dispositivo	SP3
Serie	POWER MOS 8™	RDS (Max) @Id, Vgs	78 mOhm @ 42A, 10V
Potencia - Max	390W	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SP3	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	340nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET	Standard	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 51A 390W Chassis Mount SP3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	51A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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