APTM120H57FTG

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APTM120H57FTG
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
Especificaciones:	1.APTM120H57FTG.pdf 2.APTM120H57FTG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2826 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2826 pcs

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Especificaciones de APTM120H57FTG

Número de pieza	APTM120H57FTG	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2826 pcs	Ficha de datos	1.APTM120H57FTG.pdf 2.APTM120H57FTG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 2.5mA	Paquete del dispositivo	SP4
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	684 mOhm @ 8.5A, 10V
Potencia - Max	390W	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SP4	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5155pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	187nC @ 10V	Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Característica de FET	Standard	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V (1.2kV)
Descripción detallada	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP4	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	17A

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Después de las ventas
Especificaciones

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