APT1001RBN

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APT1001RBN
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Especificaciones:	APT1001RBN.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3722 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3722 pcs

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Especificaciones de APT1001RBN

Número de pieza	APT1001RBN	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3722 pcs	Ficha de datos	APT1001RBN.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247AD
Serie	POWER MOS IV®	RDS (Max) @Id, Vgs	1 Ohm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	310W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2950pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	130nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1000V	Descripción detallada	N-Channel 1000V 11A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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