Micron Technology| Número de pieza | MT48H8M32LFB5-8 IT TR | Fabricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 3709 pcs | Ficha de datos | 1.MT48H8M32LFB5-8 IT TR.pdf2.MT48H8M32LFB5-8 IT TR.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 15ns | Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnología | SDRAM - Mobile LPSDR | Paquete del dispositivo | 90-VFBGA (8x13) |
| Serie | - | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | 90-VFBGA | Otros nombres | 557-1053-1 MT48H8M32LFB5-8 IT MT48H8M32LFB58ITTR |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 2 (1 Year) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 256Mb (8M x 32) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | DRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 125MHz 7ns 90-VFBGA (8x13) | Frecuencia de reloj | 125MHz |
| Número de pieza base | MT48H8M32 | Tiempo de acceso | 7ns |
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|---|---|---|
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