Micron Technology| Número de pieza | MT46V64M8FN-6:D TR | Fabricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no compatible |
| cantidad disponible | 3600 pcs | Ficha de datos | MT46V64M8FN-6:D TR.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 15ns | Suministro de voltaje | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Tecnología | SDRAM - DDR | Paquete del dispositivo | 60-FBGA (10x12.5) |
| Serie | - | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | 60-TFBGA | Otros nombres | 557-1036-1 MT46V64M8FN-6:D MT46V64M8FN-6:F MT46V64M8FN6DTR |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 5 (48 Hours) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | DRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 167MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5) | Frecuencia de reloj | 167MHz |
| Número de pieza base | MT46V64M8 | Tiempo de acceso | 700ps |
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|---|---|---|
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