US6U37TR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	US6U37TR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
Especificaciones:	US6U37TR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	373290 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 373290 pcs

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Especificaciones de US6U37TR

Número de pieza	US6U37TR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	373290 pcs	Ficha de datos	US6U37TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TUMT6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-SMD, Flat Leads	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.2nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	Schottky Diode (Isolated)	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 1.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.5A (Ta)

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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