US6J11TR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	US6J11TR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Especificaciones:	1.US6J11TR.pdf 2.US6J11TR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	445873 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 445873 pcs

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Especificaciones de US6J11TR

Número de pieza	US6J11TR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	445873 pcs	Ficha de datos	1.US6J11TR.pdf 2.US6J11TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Paquete del dispositivo	UMT6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Potencia - Max	320mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V	Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 320mW Surface Mount UMT6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.3A
Número de pieza base	*J11

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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