RV2C001ZPT2L

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RV2C001ZPT2L
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006
Especificaciones:	1.RV2C001ZPT2L.pdf 2.RV2C001ZPT2L.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1249610 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1249610 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de RV2C001ZPT2L

Número de pieza	RV2C001ZPT2L	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1249610 pcs	Ficha de datos	1.RV2C001ZPT2L.pdf 2.RV2C001ZPT2L.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 100µA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DFN1006-3 (VML1006)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	100mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-101, SOT-883	Otros nombres	RV2C001ZPT2LTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15pF @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3 (VML1006)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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