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LAPIS Semiconductor
| Número de pieza | RUR020N02TL | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 477843 pcs | Ficha de datos | 1.RUR020N02TL.pdf2.RUR020N02TL.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TSMT3 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 540mW (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SC-96 | Otros nombres | RUR020N02MGTL RUR020N02TL-ND RUR020N02TLTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | N-Channel 20V 2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
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|---|---|---|
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