RUF025N02FRATL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RUF025N02FRATL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET
Especificaciones:	1.RUF025N02FRATL.pdf 2.RUF025N02FRATL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	711553 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 711553 pcs

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Especificaciones de RUF025N02FRATL

Número de pieza	RUF025N02FRATL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	711553 pcs	Ficha de datos	1.RUF025N02FRATL.pdf 2.RUF025N02FRATL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.3V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TUMT3
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	54 mOhm @ 2.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	800mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	3-SMD, Flat Leads	Otros nombres	RUF025N02FRATLTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	N-Channel 20V 2.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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