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RUE002N02TL

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Descripción del producto

Número de pieza: RUE002N02TL
Fabricante / Marca: LAPIS Semiconductor
Descripción del producto MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
Especificaciones: RUE002N02TL.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 1023280 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 1023280 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
3000 pcs
$0.028
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Especificaciones de RUE002N02TL

Número de pieza RUE002N02TL Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 20V .2A EMT3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1023280 pcs Ficha de datos RUE002N02TL.pdf
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA Vgs (Max) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo EMT3
Serie - RDS (Max) @Id, Vgs 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
La disipación de energía (máximo) 150mW (Ta) embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-75, SOT-416 Otros nombres RUE002N02TLTR
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 2.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V Descripción detallada N-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX www.FedEx.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL www.DHL.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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