RTL035N03FRATR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RTL035N03FRATR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
Especificaciones:	1.RTL035N03FRATR.pdf 2.RTL035N03FRATR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	145015 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 145015 pcs

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Especificaciones de RTL035N03FRATR

Número de pieza	RTL035N03FRATR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	145015 pcs	Ficha de datos	1.RTL035N03FRATR.pdf 2.RTL035N03FRATR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 1mA	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	TUMT6	Serie	Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs	56 mOhm @ 3.5A, 4.5V	La disipación de energía (máximo)	1W (Ta)
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	6-SMD, Flat Leads
Otros nombres	RTL035N03FRACT	Temperatura de funcionamiento	150°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.4nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Ta)

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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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