RS1E350BNTB

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RS1E350BNTB
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Especificaciones:	1.RS1E350BNTB.pdf 2.RS1E350BNTB.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	49936 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 49936 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.629

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Especificaciones de RS1E350BNTB

Número de pieza	RS1E350BNTB	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	49936 pcs	Ficha de datos	1.RS1E350BNTB.pdf 2.RS1E350BNTB.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-HSOP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.7 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo)	35W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	RS1E350BNTBDKR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7900pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	185nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 35A (Ta) 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Ta)

Modo de transporte
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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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