RS1E180BNTB

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RS1E180BNTB
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Especificaciones:	1.RS1E180BNTB.pdf 2.RS1E180BNTB.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	392240 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 392240 pcs

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Especificaciones de RS1E180BNTB

Número de pieza	RS1E180BNTB	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	392240 pcs	Ficha de datos	1.RS1E180BNTB.pdf 2.RS1E180BNTB.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-HSOP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	4.9 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3W (Ta), 25W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	RS1E180BNTBTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	23nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 60A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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