RRL025P03FRATR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RRL025P03FRATR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	PCH -30V -2.5A POWER MOSFET
Especificaciones:	1.RRL025P03FRATR.pdf 2.RRL025P03FRATR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	209310 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 209310 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.183

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Especificaciones de RRL025P03FRATR

Número de pieza	RRL025P03FRATR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	PCH -30V -2.5A POWER MOSFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	209310 pcs	Ficha de datos	1.RRL025P03FRATR.pdf 2.RRL025P03FRATR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TUMT6
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	75 mOhm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	6-SMD, Flat Leads	Otros nombres	RRL025P03FRACT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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