RQ3E120GNTB

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RQ3E120GNTB
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
Especificaciones:	1.RQ3E120GNTB.pdf 2.RQ3E120GNTB.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	546722 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 546722 pcs

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Especificaciones de RQ3E120GNTB

Número de pieza	RQ3E120GNTB	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	546722 pcs	Ficha de datos	1.RQ3E120GNTB.pdf 2.RQ3E120GNTB.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-HSMT (3.2x3)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	8.8 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2W (Ta), 16W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN	Otros nombres	RQ3E120GNTBTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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