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LAPIS Semiconductor
| Número de pieza | RP1E100XNTR | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 10A MPT6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 6030 pcs | Ficha de datos | RP1E100XNTR.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | MPT6 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 13 mOhm @ 10A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2W (Ta) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | 6-SMD, Flat Leads | Otros nombres | RP1E100XNCT RP1E100XNTRCT RP1E100XNTRCT-ND |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
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|---|---|---|
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