RD3T100CNTL1

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RD3T100CNTL1
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	NCH 200V 10A POWER MOSFET
Especificaciones:	RD3T100CNTL1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	119997 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 119997 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.252

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Especificaciones de RD3T100CNTL1

Número de pieza	RD3T100CNTL1	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	NCH 200V 10A POWER MOSFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	119997 pcs	Ficha de datos	RD3T100CNTL1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.25V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	182 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	85W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	RD3T100CNTL1TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	25nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V
Descripción detallada	N-Channel 200V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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