R6076MNZ1C9

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	R6076MNZ1C9
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
Especificaciones:	R6076MNZ1C9.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5585 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5585 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $6.343

10 pcs: $5.768

100 pcs: $4.903

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Especificaciones de R6076MNZ1C9

Número de pieza	R6076MNZ1C9	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5585 pcs	Ficha de datos	R6076MNZ1C9.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	55 mOhm @ 38A, 10V
La disipación de energía (máximo)	740W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-247-3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7000pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	115nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 76A (Tc) 740W (Tc) Through Hole TO-247	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	76A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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